Referencia: CNY75
"Caracteristicas: Tipo de entrada: DCVoltaje colector-emisor maximo: 70 VVoltaje de saturacion colector-emisor maximo: 0.3 VVoltaje de aislamiento: 5000 VrmsRatio de transferencia de corriente: 200 %Voltaje directo de diodo maximo: 1.6 VCorriente de entrada de diodo maxima: 60 mACorriente del colector maxima: 50 mADisipacion de energia maxima: 200 mWTemperatura operativa maxima: + 110 CTemperatura operativa minima: - 55 CEmpaquetado / Estuche: DIP-6Corriente directa: 60 mATiempo de caida maximo: 6.7 usVoltaje inverso de diodo maximo: 5 VTiempo de establecimiento maximo: 7 usNumero de canales por chip: 1 CanalDispositivo de salida: NPN PhototransistorTipo de salida: DC "
1,44€ Iva incluido
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