TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT227B

Referencia: IXFN64N50P

Caracteristicas:Tipo de Canal NCorriente Maxima Continua de Drenaje 61 ATension Maxima Drenador-Fuente 500 VTipo de Encapsulado SOT-227BTipo de Montaje Montaje en panelConteo de Pines 4Resistencia Maxima Drenador-Fuente 85 m?Modo de Canal MejoraTension de umbral de puerta maxima 5.5VDisipacion de Potencia Maxima 700 WConfiguracion de transistor SimpleTension Maxima Puerta-Fuente -30 V, +30 VNumero de Elementos por Chip 1Longitud 38.23mmMaterial del transistor SiAncho 25.42mmSerie HiperFET, PolarTemperatura Maxima de Funcionamiento +150 °CCarga Tipica de Puerta @ Vgs 150 nC a 10 VTemperatura de Funcionamiento Minima -55 °CAltura 9.6mm

  36,83€ Iva incluido

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